[发明专利]无定形硅的制备方法无效
申请号: | 90108098.5 | 申请日: | 1990-09-29 |
公开(公告)号: | CN1060081A | 公开(公告)日: | 1992-04-08 |
发明(设计)人: | 张允什;袁华堂;张大昕 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C01B33/033 | 分类号: | C01B33/033 |
代理公司: | 南开大学专利事务所 | 代理人: | 赵尊生 |
地址: | 30007*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明属于硅的制备方法。无定形硅广泛应用于半导体材料、太阳能电池和储氢材料等。采用活泼金属镁与四氯化硅直接反应,惰性气体保护,在370~410℃温度下保温4~8小时,用稀盐酸和水洗涤反应产物,干燥即得棕色无定形硅。本发明工艺简单,成本低,是制备无定形硅较理想的方法。 | ||
搜索关键词: | 无定形 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用金属镁与四氯化硅进行反应制备无定形硅的方法,其特征在于:将镁锉屑放入石英管内的石英舟或铁舟中,把四氯化硅装入圆底烧瓶中并且用玻璃导管与石英管连接,通入惰性气体赶尽系统中的氧气,将石英管加热至370~410℃并且保温4~8小时,冷却,用稀酸洗涤产物,水洗,干燥即得无定形硅。
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