[发明专利]垂直双极型晶体管无效
| 申请号： | 90108153.1 | 申请日： | 1988-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1018779B | 公开（公告）日： | 1992-10-21 |
| 发明（设计）人： | 拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/50 | 分类号： | H01L29/50;H01L29/73;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区城嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双极型晶体管，包括：一块半导体基片，一个半导体集电极区，一个在所述的基片表面上的集电极区内形成的半导体基区，一个至少覆盖一部分所述的基区的绝缘层，所述的绝缘层具有一个确定下面发射极区的开孔，一个位于所述的基区中并对准所述的开孔的半导体发射极区，一个覆盖在所述的绝缘层上、通过所述的开孔与所述的发射极区形成接触的多晶硅层，一个与所述的多晶硅发射极层形成硅化物的第一金属导体，一个与所述的基区形成电气接触的第二导电体，与所述的集电极区形成电气接触的第三导电体，其特征在于；进一步包括一重掺杂的半导体区域，在所述第二导电体和所述基区之间的硅化物中间层，以及位于所述的第三导电体和所述的集电极区之间的硅化物中间层。
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