[发明专利]整流二极管的制造方法无效
申请号: | 90108645.2 | 申请日: | 1990-10-21 |
公开(公告)号: | CN1060923A | 公开(公告)日: | 1992-05-06 |
发明(设计)人: | 张金祥 | 申请(专利权)人: | 张金祥 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/28 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 汪锡安 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明为一种改进的整流二极管的制造方法,把包括有晶片与铜丝结合、铜丝镀锡、碱洗、晶片涂硅胶、涂硅胶后晶体包覆环氧树脂工序的传统制造方法加以改进,采用把铜丝浸渍在熔融的焊锡中镀锡,并且用多次滚动浸渍法包覆环氧树脂。本发明不用传统的电镀法镀锡,从根本上消除了环境污染,不用模具法包覆环氧树脂,降低了生产成本,提高了功效。 | ||
搜索关键词: | 整流二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种整流二极管的制造方法,包括下列依次进行的工序:(a)将晶片的两端各自牢固地结合一根铜丝,(b)将上述晶片铜丝接合体的铜丝部分镀锡,(c)将上述铜丝镀锡后的半成品经过碱洗清洗,烘乾处理,(d)将上述经碱洗,清洗、烘乾处理后的半成品的晶片部分上涂覆硅胶并烘乾,(e)将上述涂覆硅胶并烘乾的晶片上包覆环氧树脂并烘乾,其特征是:(f)在工序(b)中的镀锡操作是把所述的铜丝部分浸渍在融熔的焊锡中以后,再取出,(g)在工序(e)中,是把所述的涂有硅胶的晶片部分一次或一次以上地滚动浸渍环氧树脂并烘乾。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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