[发明专利]干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构无效
申请号: | 90109813.2 | 申请日: | 1990-12-19 |
公开(公告)号: | CN1017208B | 公开(公告)日: | 1992-06-24 |
发明(设计)人: | 罗澎;金钟元;韩阶平;马俊如 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子中心 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;B44C1/22;C03C15/00;C23F1/02 |
代理公司: | 三友专利事务所 | 代理人: | 杨佩璋 |
地址: | 1000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构。本发明提供一种磁控反应离刻蚀机上施加磁场的永磁磁路结构,该永磁磁路结构设于反应室内直接构成磁场,由一对包括许多永磁磁铁单元的极板,一个软铁回路以及角铁组成。通过调整可使硅片刻蚀区形成均匀的强度可调的磁场。本发明磁路结构简单,可降低设备制造成本,提高精度,提高设备可靠性和易操作性。 | ||
搜索关键词: | 工艺 大面积 均匀 可调 永磁 磁路 结构 | ||
【主权项】:
1、大面积均匀可调永磁磁路结构,其特征在于:在反应室1内的阴极2两侧设有多块成排永磁磁铁单元5与在该成排永磁磁铁单元内侧所加软铁板6组成的极板4,在该极板4外侧设有由二个软铁回路纵长部分71、二个软铁回路水平部分72以及四个软铁回路斜角部分73组成非正八角形或上部呈圆弧形的软铁回路7,在两块对立的软铁板6二端内侧分别设有角铁或由软铁棒排成角状结构8,用于直径为280毫米的反应室1时,阴极直径为60~110毫米,极板4长度为140~165毫米,软铁回路水平部分72的长度为60~110毫米,体积为10×10×10毫米的永磁磁铁单元5在每个极板4上为54块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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