[实用新型]紫外增强反型层型光电二极管无效
| 申请号： | 90200892.7 | 申请日： | 1990-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN2077593U | 公开（公告）日： | 1991-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张君和 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 龚茂铭 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种改进的紫外增强反型层型光电二极管，其主要结构是用两个封闭而互不相连的环状N+扩散区，把工作区的反型层区域包围起来，把与工作区相连的N+区通过负载电阻再与电源正极相连，另一个N+区则直接与电源正极相连，P区与电源负极相连、不仅紫外增强效果好，而且漏电流小，击穿电压高，性能稳定，制造工艺简便，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 增强 反型层型 光电二极管 | ||
【主权项】：
1、一种紫外增强反型层型光电二极管，其特征在于，用两个封闭而互不相连的环状N+扩散区把工作区的反型层区域包围起来，把与工作区相连的N+区通过负载电阻再与电源正极相连，另一个N+区则直接与电源正极相连，P区与电源负极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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