[实用新型]一种短路自保护可控硅单相逆变器无效
| 申请号： | 90208527.1 | 申请日： | 1990-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN2073192U | 公开（公告）日： | 1991-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张锐;龙晓;王殿奎;吴福顺;姚建铨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H02M7/515 | 分类号： | H02M7/515;H02H7/122 |
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 张强 |
| 地址： | 30007*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种短路自保护可控硅单相逆变器，本实用新型属于可控硅变流技术领域。将申并联混合型逆变器的接线稍作改动，接入一个隔直电容和泄放电阻，不仅保留了逆变器线路简单，自换流关断，适于容性变化负载等优点，还杜绝了两个可控硅偶然直流联通时导致的过流损坏，降低了对可控硅触发电路可靠性的要求。本实用新型可以广泛地使用于几十千瓦以下中小功率变流装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 短路 保护 可控硅 单相 逆变器 | ||
【主权项】：
1、一种短路自保护可控硅单相逆变器，该逆变器由上下两回路组成，所说的上回路的元件有二分之一滤波电容①，换流电感③，快速熔断器⑦，可控硅（11）和续流二极管⑩；所说的下回路的元件有二分之一滤波电容②，换流电感⑥，快速熔断器⑧，可控硅（13）和续流二极管（12）；串联换流电容⑨与负载变压器⑤串联后，再与并联换流电容④并行联接构成上回路和下回路的公共回路，其特征是，由隔直电容（14）和泄放电阻（15）并联后，一端联接上回路可控硅（11）的阴极和并联换流电容④，另一端联接下回路可控硅（13）的阳极和串联换流电容⑨。
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