[实用新型]硅基薄膜厚膜力敏元件无效
| 申请号： | 90210245.1 | 申请日： | 1990-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN2064534U | 公开（公告）日： | 1990-10-24 |
| 发明（设计）人： | 段祥照 | 申请（专利权）人： | 段祥照 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01L49/00;G01L9/02 |
| 代理公司： | 沈阳市专利事务所 | 代理人： | 刁佩德 |
| 地址： | 110036 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种要用作应变片或封装补偿制成通用传感器的硅基薄膜厚膜力敏元件。该力敏元件以硅基片为基底，在硅基片上生成绝缘层，在此绝缘层上制作薄膜的或厚膜的并与基底完全绝缘的应变电阻，应变电阻作为连接层遍布金属电极下边。它具有线性好，体积小，响应频率高，使用温区宽，适应性强，封装容易，成本低，使用方便可靠等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 厚膜力敏 元件 | ||
【主权项】：
1、一种以硅基片为基底的硅基薄膜厚膜力敏元件，其特征是在硅基片上生成绝缘层，在此绝缘层上制做薄膜的或厚膜的并与基底完全绝缘的应变电阻，应变电阻遍布金属电极下边，且为金属电极的连接层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于段祥照，未经段祥照许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/90210245.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
