[发明专利]制作超导器件的方法无效
| 申请号： | 91100272.3 | 申请日： | 1988-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1020830C | 公开（公告）日： | 1993-05-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种超导器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超导陶瓷薄膜，且该局部碍超导的陶瓷薄膜，形成分隔两个超导区的势垒膜。这种碍超导效应是采用离子注入技术将一种碍超导元素加入陶瓷膜而进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 超导 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作超导器件的方法包括：在不导电衬底的表面上，形成一种与所需成分一致的超导陶瓷薄膜；对该陶瓷薄膜进行热处理，使其形成一种超导结构，它的C平面平行于所述陶瓷薄膜的表面，除了使第二部分根据规定图案成为超导结构之外，将一种碍超导元素加到所述陶瓷膜的第一部分，以使所述成分变成与超导区不相一致的成分；以及在所述陶瓷薄膜的上表面覆盖一层钝化膜的氧化膜，其特征在于，所述第一部分作为势垒层配置在所述第二部分之间，所述势叠层具有一个可以让隧道电流通过的厚度。
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