[发明专利]砷化镓衬底上的混合并质外延无效
| 申请号： | 91100620.6 | 申请日： | 1991-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1053146A | 公开（公告）日： | 1991-07-17 |
| 发明（设计）人： | 李晋闽;郭里辉;侯洵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/208;C30B19/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中国科学院西安专利事务所 | 代理人： | 顾伯勋,任越 |
| 地址： | 710068 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于一种采用气相外延与液相外延的混合外延方法，在砷化镓衬底上异质外延磷化铟和晶格匹配于磷化铟的III-V族多元化合物半导体材料，通过采用准平衡回熔技术，在砷化镓衬底上生长出晶格匹配的磷化铟、铟镓砷和铟镓砷磷III-V族多元化合物半导体，使这类材料的成本大为降低并具有性能好、满足器件实用要求的优点，尤其适用于光纤通信中的半导体激光器、光探测器以及微电子学等领域中的器件制造。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 衬底 混合 外延 | ||
【主权项】：
1、在砷化镓(GaAs)衬底上异质外延生长磷化铟(InP)和晶格匹配于InP的Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体材料的方法，本发明的特征是：采用气相外延与液相外延的混合外延生长技术，先用气相外延在GaAs衬底上生长InP缓冲层Ⅰ，然后在该缓冲层上再液相外延生长InP缓冲层Ⅱ和晶格匹配于InP的Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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