[发明专利]硅单晶薄片制造晶体管的方法无效
| 申请号： | 91101561.2 | 申请日： | 1991-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1022653C | 公开（公告）日： | 1993-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;陈启秀;陈忠景;章婉珍;李贡社 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/70 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N+杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在500℃～1200℃的温度下将两张背靠背的硅单晶薄片烧结，e.双面或单面法制造晶体管，f.制成晶体管芯片生用化学腐蚀方法分离上述硅片。本发明的优点是革除了常规半导体工业所采用的高温(1275℃)和长时间(200小时)的三重扩散法，同时具有节能，省硅材料和缩短生产周期的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 薄片 制造 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括：a.在原始单晶片上预先扩散入N+杂质；b.硅片单面机械研磨、抛光；其特征在于e.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层；d.硅片背面涂高纯玻璃粉，在500℃～1200℃的温度下将两张背靠背的硅单晶薄片烧粘；e.双面或单面法制造晶体管；f.制成晶体管扩散结后的硅片，用化学腐蚀液分离上述硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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