[发明专利]使用烷基铝氢化物形成以铝作为主成份的金属沉积膜的方法

摘要

一种形成金属膜的方法，包括以下步骤在空间中安置供形成膜所用的基片；向该空间中引入烷基铝氢化物气体及氢气；以及直接加热该基片而在该基片上形成含主成分为铝的金属膜。

主权项

1.一种形成金属膜的方法；其特征在于包括步骤；(i)提供包括半导体或导体部分及绝缘体部分的基片；(ii)将所述基片置于金属膜形成设备的第一膜形成室，所述膜形成设备包括所述第一膜形成室、形成金属膜的第二膜形成室、以及使所述第一、第二膜形成室相互连接并隔绝空气的基片输送通道；(iii)使用有机铝在所述第一膜形成室中在所述半导体或所述导体部分上选择形成包括铝的第一金属膜；(iv)将其上形成有所述第一金属膜的所述基片从所述第一膜形成室经所述基片输送通道输送到所述第二膜形成室并置于所述第二膜形成室内，所述膜形成设备在输送所述基片期间与空气隔绝；(v)在所述第二膜形成室中在所述基片上非选择形成第二金属膜；(iv)在第一膜形成室中的膜形成用CVD法进行，在第二膜形成室中的膜形成用溅射或CVD法；以及(iiv)第一和第二膜形成室通过用闸阀或通过闸阀和第三室而相互连接。