[发明专利]光致负阻器件无效
| 申请号： | 91102261.9 | 申请日： | 1991-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1065952A | 公开（公告）日： | 1992-11-04 |
| 发明（设计）人： | 何民才;陈炳若;黄启俊 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成，混合集成或组装的光致负阻器件。它是利用间接耦合光电探测结构的光致负阻效应而发明的一种新型光电器件。能够用于高速光电开关和光控振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 光致负阻 器件 | ||
【主权项】：
1、一个光致负阻器件，它由受光结(11，21)，耦合区(15，22)和输出三极管(12、13、14，23)组成。其特征在于所说的受光结(11、12)可以是PN结、NP结、PIN结，异质结或肖特基结，耦合区(15、22)可以是N型或P型半导体，PNP或NPN三极管，输出三极管(11、12、14，23)则可以是NPN或PNP三极管。其特征还在于利用间接耦合光电探测结构产生的光致负阻特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
