[发明专利]集成真空微电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 91104164.8 | 申请日： | 1991-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1023162C | 公开（公告）日： | 1993-12-15 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·M·齐默尔曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02;H01J19/24;H01J21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 冯赓瑄 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要满足几种特定三维结构的要求即税利的场发射尖端、真空环境中在控制栅极结构内的该尖端精确对准，以及用于收集由尖端发射出的电子的阳极。最终制得的集成真空微电子器件还可以与其它类似的VMD器件或其它器件相连。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 真空 微电子 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成真空微电子器件，包括：具有至少一个场发射尖端和至少一个通入腔室的通孔的电子发射材料层，所述场发射尖端对着所述腔室中的阳极，并至少由一种绝缘材料隔开；其特征在于，所述至少一个通孔在所述电子发射材料层中，以及所述阳极在衬底上。
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