[发明专利]双极型晶体管的集成制造工艺

摘要

双极型晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合CMOS制造工艺同时形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用模向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

主权项

1.一种制作双极型晶体管的方法，包括下列步骤：在基片上形成一由场绝缘体围绕的半导体池，在所述的半导体池中形成基极、发射极和集电极半导体区，形成一个覆盖在所述的发射极区上的导电多晶硅层，形成与每一所述的基区、多晶硅和集电极区接触的金属条带，所述的多晶硅在所述的场绝缘体上横向延伸，使所述的金属起反应以形成导电硅化物接触条带，以及，形成与每一所述的硅化物接触条带相接触的端电极。