[发明专利]同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 91104585.6 | 申请日： | 1991-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1057869A | 公开（公告）日： | 1992-01-15 |
| 发明（设计）人： | 威廉·F·班霍尔泽;托马斯·R·安东尼;丹尼斯·M·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 王景朝,杨丽琴 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由同位素纯的碳-12和碳-13所组成的单晶金刚石的制造方法。在本发明中，同位素纯的单晶金刚石是直接由同位素纯的碳-12或碳-13在一个单晶基体上形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 同位素 纯单晶 外延 金刚石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制备同位素纯的单晶金刚石薄膜的方法，该方法包括，直接由同位素纯的碳-12或碳-13在一个单晶基体上生长出单晶金刚石。
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