[发明专利]一种表面处理方法和设备无效
申请号: | 91105094.9 | 申请日: | 1991-06-28 |
公开(公告)号: | CN1050158C | 公开(公告)日: | 2000-03-08 |
发明(设计)人: | 杰弗里·诺曼·佩恩 | 申请(专利权)人: | 杰弗里·诺曼·佩恩 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C14/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林道棠 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在一表面上产生均匀薄膜的方法和装置,包括使该表面与一薄膜沉积室的薄膜沉积区之间产生恒速相对运动,以使该表面通过该沉积区。沉积室设计成使在沉积区中在表面上的薄膜沉积在横跨该表面的横向方向上是均匀的。该横向方向垂直于相对运动的方向。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种在一个在一表面上产生薄膜的装置内在表面上产生薄膜的方法,包含:通过设置在该产生薄膜的装置内的具有一个薄膜沉积区的薄膜沉积室内的、使所说表面与所说沉积区之间产生恒速相对运动以使所述表面通过所说沉积区的装置来在所说表面与薄膜沉积区之间产生恒速的相对运动,使所说表面通过所说沉积区;通过设计成使薄膜在沉积区内在横跨所说表面的横向方向上均匀地沉积到所说表面上的沉积室使薄膜在横跨所说的横向方向上在所说表面上的沉积是均匀的,所说的横向方向垂直于所说的相对运动的方向;所说薄膜组分以气态或气雾的形式提供,通过设置在沉积室的薄膜组分输入口和薄膜组分输出口的布置使薄膜组分沿基本上与所说的相对运动的方向相同的方向流过沉积区;所述沉积室设有一高位感受器,该沉积区设置在其下方;或者所述方法包含:通过设置在该产生薄膜的装置内的具有一个薄膜沉积区的薄膜沉积室内的、使所说表面与所说沉积区之间产生恒速相对线性运动以使所述表面通过所说沉积区的装置来在所说表面与薄膜沉积区之间产生恒速的相对线性运动,使所说表面通过所说沉积区;通过设计成使薄膜在沉积区内在横跨所说表面的横向方向上按线性变化地沉积到所说表面上的沉积室使薄膜在横跨所说的横向方向上在所说表面上的沉积是按线性变化的,所说的横向方向垂直于所说的相对线性运动的方向;通过设置在所说沉积室内使所说表面在通过沉积区时相对于所说沉积区围绕一条基本上垂直于所说表面的所说表面对称轴线转动的装置使所说表面在通过所说沉积区时围绕其对称轴线转动;所说薄膜组分以气态或气雾的形式提供,通过设置在沉积室的薄膜组分输入口和薄膜组分输出口的布置使薄膜组分沿基本上与所说的相对线性运动的方向相同的方向流过沉积区;所述沉积室设有一高位感受器,该沉积区设置在其下方。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的