[发明专利]硅加热元件无效
| 申请号： | 91105300.X | 申请日： | 1991-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1068006A | 公开（公告）日： | 1993-01-13 |
| 发明（设计）人： | 博日达·佐里奇;佩塔尔·比扬诺维奇;兹德拉夫科·本德科维奇 | 申请（专利权）人： | 比罗工程师企业公司 |
| 主分类号： | H05B3/26 | 分类号： | H05B3/26;H05B3/12;H05B3/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马崇德 |
| 地址： | 列支敦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种硅加热元件，包括一个高导热性的电绝缘基底(A)，该基底(A)承载着一硅层(B)和电接点(C)，最好用氧化铍或氮化铝来制作基底(A)。硅层(B)由多晶或非晶硅组成，其中掺杂P型或N型半导体掺杂剂，最好掺杂浓度高于1018/cm3。电接点是耐高温的，并熔合到硅层(B)上。另外，电接点由一层与电绝缘基底(A)接触的耐熔金属接点层(C′)和一种熔合到接点层(C′)上的第二耐温材料(C″)组成。通过将多晶或非晶硅层(B)涂敷到高导热性的电绝缘基底(A)上来制作硅加热元件。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 元件 | ||
【主权项】：
1、一种硅加热元件，包括一个高导热性的电绝缘基底(A)，该基底(A)上承载着一层硅层(B)和电接点(C)，其特征在于，硅层(B)由多晶或非晶硅组成，而接点是耐高温的，并且接点熔合到硅层(B)上。
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