[发明专利]高灵敏度半导体气敏元件无效
| 申请号： | 91108927.6 | 申请日： | 1991-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1027607C | 公开（公告）日： | 1995-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴兴惠 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;G01N27/12;H01L49/00 |
| 代理公司： | 云南省高校专利事务所 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 650091 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种高灵敏度半导体气敏元件，由N型和P型半导体材料制成的两种敏感体构成一个整体气敏元件，并包含有衬底、电极和加热器，其特征是这两种敏感体对待测气体均敏感，两者可组合成N-P型或P-N型结构，当接触待测气体时，P型敏感体的电阻随待测气体浓度增大而增大，N型敏感体的电阻却随之而减小。所以该元件的灵敏度近似等于构成它的这两种敏感体各自灵敏度的乘积，因而可实现检测气体的高灵敏度，同时还可实现选择性倍增，改善热稳定性和初期驰豫特性，增强抗环境湿度的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高灵敏度半导体气敏元件，该元件由N型和P型半导体材料制成的两种敏感体构成的一个整体气敏元件，并包含有衬底、电极和加热器，其特征在于所述的两个敏感体均接触待测气体且对待则气体均敏感，N型敏感体的电阻随待测气体浓度增大而减小，P型敏感体的电阻随待测气体浓度增大而增大。
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