[发明专利]全膜真空电容器和局部浸渍电容器无效
| 申请号： | 91109168.8 | 申请日： | 1991-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1060179A | 公开（公告）日： | 1992-04-08 |
| 发明（设计）人： | 武学诗 | 申请（专利权）人： | 武学诗 |
| 主分类号： | H01G4/14 | 分类号： | H01G4/14;H01G4/22;H01G1/13 |
| 代理公司： | 首都专利代理事务所 | 代理人： | 杨思东 |
| 地址： | 100021*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是有关固体电容器的改进，全膜真空电容器的极板之间的气隙小于10μm，容器壳内设置保护间隙装置，局部浸渍电容器的极板之间的气隙需小于1.5μm，介质均采用光膜，元件在常温常压下浸渍，全膜真空电容器的技术性能比传统产品大大提高，而局部浸渍电容器的工艺时间大大缩短，成本大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 电容器 局部 浸渍 | ||
【主权项】：
1、一种全膜真空电容器是由极板、介质组成的元件，置于带有引出端子的内部处于真空状念的外壳组成，本发明的特征在于：极板之间的气隙需小于10μm，在电容器壳内引出端子之间设立一个或几个串联的距离为0.1mm至2.5mm的保护间隙装置(如球隙)，装置中除了相对的放电部位一小片金属表面之外，其它部位的金属表面必须覆盖足够的固体绝缘。
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