[发明专利]带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管

摘要

本发明的场效应晶体管由作为栅极的导电性基底(2)、一个绝缘势垒层(3)和势垒层(3)上的一个超导沟道层(1)所组成。超导层(1)附装着一对相距一定距离的电极(4，5)，分别构成源极和漏极，基底上设有一个适当的栅极接点。基底(2)由与势垒层(3)属于同一结晶体群的材料所构成。在本发明的一个最佳实施例中，基底(2)是一个掺铌的钛酸锶，势垒层(3)是一个非掺杂钛酸锶，超导体(1)是一个薄膜。

主权项

1.一种超导场效应晶体管，其特征在于包括：一个基底，由在绝缘层下侧的金属层构成，所述基底是栅极；一个超导薄膜，在所述绝缘层上侧；一对电极，在所述超导薄膜上，一个电极是源极，另一个电极是漏极；以及一个在所述金属层上的接点。