[发明专利]用于真空断路器的触头材料无效
| 申请号： | 91111927.2 | 申请日： | 1991-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1022960C | 公开（公告）日： | 1993-12-01 |
| 发明（设计）人： | 奥富功;山本敦史;关经世;大川干夫;本间三孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01H33/66 | 分类号： | H01H33/66;H01H1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于真空断路器的触头材料包括(a)从包括Ag，Cu及其结合的一组成分中选出的一种高导电成分，占体积的25％-70％，以及(b)占体积的75％-30％的一种耐弧成分，其中包括由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W及其结合构成的族中选出的一种元素的碳化物。其中上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3至3微米，该耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。构成真空断路器触头的触头材料具有改进的耐磨性，大电流遮断特性，断路特性以及低温升特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 断路器 材料 | ||
【主权项】：
1.一种真空断路器的触头材料，包括：从Ag、Cu及其结合构成的组中选出的一种高导电成分，占体积的20％-20％；和占体积的75％至30％的一种耐弧成分，其中包括碳和由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，MO，W元素及其结合构成的组中选出的一种元素的碳化物；其特征在于，上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3-3微米，并且上述耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。
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