[实用新型]阴离子发生器无效
| 申请号： | 91205947.8 | 申请日： | 1991-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN2098746U | 公开（公告）日： | 1992-03-11 |
| 发明（设计）人： | 权赫九 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01T23/00 | 分类号： | H01T23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 南朝鲜京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了容易产生阴离子，而且防止异常放电的阴离子发生器，其结构，无论何方，其尖端部分与电极心子A、B对着可大致弯曲为直角。另外，本阴离子发生器的特点是分别沿着电极心子轴心长度方向，插入陶瓷电杆构件14b、15b的+电极构件14及-电极构件15；在前述+电极构件14及-电极构件15的心子中间部分附近，有形成防止高压绝缘破坏的绝缘壁托架13′；备有结合固定前述托架13′及固定构件16的固定手段17，从而在前述电极构件14、15之间产生阴离子。 | ||
| 搜索关键词： | 阴离子 发生器 | ||
【主权项】：
1、一种阴离子发生器，其特征是：无论哪一方，其尖端部分对电极心子A、B轴心弯曲可大致形成直角，另外，+电极构件及-电极构件14、15，是沿着电极心子轴心长度方向分别插入陶瓷制的电杆构件14b、15b得到的；以上述电极构件14、15所定间隔的固定构件16；在上述+电极构件14及-电极构件15的心子中间附近，有防止高电压绝缘破坏的绝缘层19，在此处有托架13′；备有上述托架13′及固定构件16结合固定的固定手段17，阴离子就发生在上述电极构件14、15之间。
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