[实用新型]一种双向晶闸管的门极结构无效
| 申请号： | 91217587.7 | 申请日： | 1991-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN2118356U | 公开（公告）日： | 1992-10-07 |
| 发明（设计）人： | 赵善麒 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/747 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 张博然 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型是一种新型的双向晶闸管的门极结构，这种门极结构是在原发明的马蹄状门极区N3发射区上设置了一排短路点，这种新的门极结构可以大大改善双向晶闸管的换向特性，改善器件的动态特性和门极触发特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 晶闸管 结构 | ||
【主权项】：
一种双向晶闸管的门极结构，其特征在于：在门极区N3发射区上设置了一排短路点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
