[实用新型]改良结构的单边引线桥式整流器装置无效
| 申请号： | 91217876.0 | 申请日： | 1991-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN2095512U | 公开（公告）日： | 1992-02-05 |
| 发明（设计）人： | 沈长庚 | 申请（专利权）人： | 旭兴科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/06 | 分类号： | H02M7/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 林道棠 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种改良结构的单边引线桥式整流器包括内外引线、硅晶片与导块。两个硅晶片以其负极朝下焊接于一根外引线的晶片引接面的上端面上，使其负极跟该外引线连通；两根内引线的晶片引接面的下端面焊接到上述两个硅晶片的朝上的正极上；导块焊接在内引线的晶片引接面的上端面上；另外两个硅晶片以其负极朝下焊接在导体的上端面上；另一根外引线的弧形晶片引接面的下端面焊接到所述另外两个硅晶片的朝上的正极上；内外引线的引出线成横向平行设置。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 结构 单边 引线 整流器 装置 | ||
【主权项】：
1、一种改良结构的单边引线桥式整流器装置包括有：外引线、内引线、具有一正极与一负极的硅晶片与导块；其特征在于：外引线(1)设有一弧形之晶片引接面(11)，另以一引出线(12)与晶片引接面之一端垂直连接；内引线(2)设有一晶片引接面(21)，其引出线(22)接于晶片引接面的下端末侧成L型；导块(4)为一圆柱形导体；两个硅晶片(3)以其负极朝下焊接于一根外引线的晶片引接面的上端面上，使其负极跟该外引线连通；两根内引线的晶片引接面的下端面焊接到上述两个硅晶片的朝上的正极上；导块焊接在内引线的晶片引接面的上端面上；另外两个硅晶片以其负极朝下焊接在导块的上端面上；另一根外引线的弧形晶片引接面的下端面焊接到所述另外两个硅晶片的朝上的正极上；内外引线的引出线成横向平行设置。
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