[发明专利]用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷无效
| 申请号： | 92101117.2 | 申请日： | 1992-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1064260A | 公开（公告）日： | 1992-09-09 |
| 发明（设计）人： | A·J·皮兹克 | 申请（专利权）人： | 陶氏化学公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/64 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由无压烧结或低压气体烧结制备的致密的自增强氮化硅陶瓷，其组成包括(a)氮化硅，其中至少有20％是高平均纵横比的β—氮化硅形式；(b)2—10％(重量)的玻璃态晶界相，含氧化镁、氧化钇、二氧化硅、氧化锆，并且还可含选自氧化钙、氧化镓、氧化铟和氧化铪的一种氧化物；(c)氧化锆第二结晶相，其量为0.5—5.0％(重量)；(d)金属硅化锆和/或金属氮化硅锆的结晶相，其总量为0.1—3.0％(重量)。该陶瓷呈现高断裂韧性和高断裂强度，密度至少为理论值的98％。 | ||
| 搜索关键词： | 用无压 低压 气体 烧结 法制 致密 增强 氮化 陶瓷 | ||
【主权项】：
1、一种用无压或低压气体烧结制备致密的自增强氮化硅陶瓷体的方法，该方法包括将包括下述(a)-(e)的粉末混合物：(a)提供陶瓷体的足够量的氮化硅(b)促进粉末致密化的足够量的氧化镁；(c)促进起始氮化硅基本上完全转化成β-氮化硅的足够量的氧化钇；(d)催化量的氧化锆；(e)促进形成β-氮化硅晶须的足够量的晶须生长加强化合物，该化合物是选自氧化钙、氧化钽、氧化镓、氧化铪或氧化铟、的氧化物处于大气压(1大气压)至100大气压的压力范围和足以提供致密化值至少为理论值的98%并足以提供就地形成高纵横比的β-氮化硅晶须的温度条件，使陶瓷体具有Palmqvist韧性大于37kg/gmm。
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