[发明专利]空间投影成像无掩模光刻圆环形线圈法无效

专利信息
申请号: 92101497.X 申请日: 1992-02-26
公开(公告)号: CN1034301C 公开(公告)日: 1997-03-19
发明(设计)人: 袁绥华;章锡元 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01F41/04 分类号: H01F41/04
代理公司: 西安交通大学专利事务所 代理人: 田文英
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种用空间投影成像无掩模光刻技术制造圆环形线圈的方法。首先制作工件,在截面为椭圆的圆环状磁芯上镀上均匀的绝缘层,在绝缘层上镀金属膜,再涂覆光刻胶。制作模板、进行曝光,再将曝光后的工件投入显影和刻蚀工序制成单层载电流线圈。在已制成的单层线圈上涂覆绝缘层,再按上述方法制成多层载电流线圈。本发明取消线圈的线制工艺,降低成本,增加电磁耦合紧密度,提高了性能一致性和使用寿命。
搜索关键词: 空间 投影 成像 无掩模 光刻 圆环 线圈
【主权项】:
1、空间投影无掩模光刻圆环形线圈法,其特征在于包括下列步骤:(1)制作工件在截面为椭圆的圆环状磁芯上涂覆上均匀的绝缘层,在绝缘层上镀上金属膜,在金属膜上涂上光刻胶;(2)制作模板,在玻璃或金属板上按照线宽和线间距的要求制作模板,所述的模板为两块曲面透明辐射线模板,在其中一块的辐射线外端处,适当低于大圆平面的一个平面上制作一段透明线段;(3)曝光,制作一个内锥反射面,将工件置于内锥反射面之内,并使二者的轴线重合,用一个光源透镜成像系统,将带有延长线段的模板上的辐射线直接成像在工件上部,延长线段经内锥面反射成像光刻工件上与辐射线像相连,并向下包抄到圆环外侧下部一定位置,用另一个光源、透镜系统,将不带延长线段的模板上的辐射线成像到工件下部并与上部的延长线段像相连结,上、下部同时投影成像,对工件进行曝光;(4)将曝光后的工件投入显影、刻蚀等光刻工艺的后处理工序;(5)制作一个圆片形电极,其外缘磨成尖锐的劈形,将磁环置于电镀槽中,使圆片电极边缘对准磁环内侧金属线间断处,用电镀方法使间断封闭。
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