[发明专利]复合氧化物超导线材及其制造方法无效

专利信息
申请号: 92102035.X 申请日: 1988-12-19
公开(公告)号: CN1024859C 公开(公告)日: 1994-06-01
发明(设计)人: 田中三郎;系崎秀夫;桧垣贤次郎;失津修示;尚代哲司 申请(专利权)人: 住友电器工业株式会社
主分类号: H01B12/06 分类号: H01B12/06;H01L39/12;H01L39/24;C04B35/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 冯庚宣
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用物理蒸镀法在MgO、SrTiO3或ZrO2单晶基片上形成以Ln1Ba2Cu3O7-X(Ln是镧系元素)、(La1-X-aX)2CuO4(α是Ba或Sr)所表示的复合氧化物超导薄膜的改进方法。本发明的特征在于在使上述复合氧化物超导体薄膜表面的光洁度Rmax(基准长度=1000μm)为0.2μm以下的平滑面的条件下,进行物理蒸镀。
搜索关键词: 复合 氧化物 超导 线材 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种由芯和超导薄膜构成的超导线材,其中所述芯由Pt、Ag、Au、MgO、SrTiO3或ZrO2、Pt合金、Ag合金、Au合金组成,其中所述超导薄膜实际上由从下面一组中选出的一种复合氧化物组成,该组包括:a)由通式Ln1Ba2Cu3O7-δ表示的复合氧化物,其中Ln代表至少一个从Ln、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Y、Er、Yb、Tm及Lu组成的组中选出的镧系元素,δ是一个满足0≤δ<1的范围的数;b)由通式(La1-xax)2CuO4表示的复合氧化物,其中a代表Ba或Sr;并且所述超导线材进一步包括由MgO、SrTiO3或者ZrO2的一种单晶制成的陶瓷薄膜层,所述单晶通过溅射法淀积在所述芯上,其中所述超导薄膜表面的基本部分是光滑的,其中所述超导薄膜的表面光洁度Rmax(基准长度=1000μm)为小于0.2μm。
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