[发明专利]三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件无效
| 申请号： | 92102773.7 | 申请日： | 1992-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1027514C | 公开（公告）日： | 1995-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吴以成;佐佐木孝友 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学;佐佐木孝友 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B17/00;G02F1/03 |
| 代理公司： | 中国科学技术大学专利事务所 | 代理人： | 汪祥虬 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种从含Cs2O和B2O3熔体中采用提拉技术生长CsB3O5单晶的方法，以及以CsB3O5单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的CsB3O5单晶体，可用于制作非线性光学器件。该非线性光学器件具有高转换效率，抗光损伤性能优越，并能产生波长短至1700的紫外光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 铯单晶 生长 方法 制作 非线性 光学 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非线性光学器件，它是将包含至少一束入射电磁辐射通过一块非线性光学晶体后，产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的装置，其特征在于其中的非线性光学晶体为CsB3O5单晶体。
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