[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

为了在具有多个槽的半导体表面上制造注入掩模，需使正性光刻胶层制作在表面上。在第一步中，以光照射要形成注入掩模的光刻胶部分，并在影象转变阶段中变成不溶性物，然后，不要掩模，以光照射该光刻胶并显影，使第一步中没有被光照射过的部分除去。这样制得的注入掩模具有后缩的轮廓，在槽区的窗口沿向槽底的方向而变宽。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其中在半导体本体的表面上至少形成一个槽，该槽从表面延伸到半导体本体内，通过掩模用离子注入法，在该槽的一部分形成一掺杂区，其特征在于，将一正性光刻胶层制作在表面上与槽内；将待进行离子注入的区域的光刻胶层加掩蔽以防止受辐照，而光刻胶层不加掩蔽的部分受到第一次辐照，此后，通过一影象转变处理，使光刻胶层辐照过的部分变成不溶性物，在后续的第二次辐照步骤中，对待进行离子注入的区域的光刻胶层施加辐照，此后，经显影将上述的第一次辐照步骤时掩蔽着的光刻胶层部分除去；及第二次辐照步骤进行的辐照剂量，要比第一次辐照高。