[发明专利]硅的深槽刻蚀方法无效
| 申请号： | 92103289.7 | 申请日： | 1992-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1022526C | 公开（公告）日： | 1993-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张利春;钱钢;阎桂珍;王咏梅;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京大学专利事务所 | 代理人： | 郑胜利 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅的深槽刻蚀方法，包括淀积掩膜、光刻该掩膜以及刻蚀硅槽的步骤，其特征在于，所说的掩膜是利用蒸发或溅射的方法在硅片表面生长一层300至1000的锆(Zr)或利用反应溅射的方法在硅片表面生长一层300至1000的氮化锆(ZrN)，刻蚀步骤中所用的气体为氟基气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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