[发明专利]半导体基体材料的制作方法无效
| 申请号： | 92103908.5 | 申请日： | 1992-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1052339C | 公开（公告）日： | 2000-05-10 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体基体材料的制作方法，其特征为具有以下工序使硅基体形成多孔性后，在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序；通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序；在上述一次贴合工序后，用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序；以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基体 材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制作方法，包括下列步骤：形成具有多孔性单晶半导体层和非多孔性单晶半导体薄膜层的第一基体；在第一温度下，将所述第一基体粘结到具有不同于所述的第一基体的热膨胀系数的第二基体上，提供一个第一多层结构，其中的非多孔性单晶半导体薄膜层被设置在其内侧，从所述的第一多层结构去除所述的多孔性单晶半导体层，形成一个第二多层结构；以及在高于所述的第一温度的第二温度下通过加热所述的第二多层结构进行化学处理，增强所述的第二基体与所述的非多孔性单晶半导体薄膜层之间的粘结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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