[发明专利]钨青铜光折变晶体制备工艺

摘要

一种钨青铜光折变晶体及其制备工艺，属于非线性光学晶体材料及其制备技术领域，该发明晶体为A位非填满型KNSBN，掺杂剂为CuO，作为光折变材料能广泛应用于激光器件，光通讯，光信息处理，图像复原，光计算，智能计算机和光学神经网络等领域。其制备工艺为提拉生长法，生长周期短，质量好，体积大，无90°畴，易单畴化，120℃以下到液氮温度无相变，且加工容易，成品率高，成本低，因而便于推广应用并且具有很大的竞争力。

主权项

1.一种钨青铜光折变晶体的制备工艺：按照晶体分子组成为：(KxNa1-X)2m(SryBa1-y)1-mNb2O6所规定的计量比，称量原料BaCO3，SrCo3，K2CO3，Na2CO3和Nb2O5，其特征为原料纯度为4N，掺杂剂为CuO，分子组成中X为0.5，m为0.1，y为0.74，将原料和掺杂剂加无水乙醇混合球磨均匀后烘干。在以每小时升温200℃的速度至1100℃，恒温6小时以上合成多晶生长原料。将多晶料200g放入铂坩干锅中，置于单晶生长炉中，两小时内升至1500℃，待原料熔化后，再过热50-100℃，保持10分钟，然后再降低炉温至1500℃，开始提拉单晶，提拉速度为3-5mm/小时，转速为10-20转/小时，坩锅上方加后热器，调节固液界面处的温度梯度为25-30℃/m，晶体提拉沿C轴方向。