[发明专利]铟镓砷光电探测器无效
| 申请号： | 92108309.2 | 申请日： | 1992-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1023360C | 公开（公告）日： | 1993-12-29 |
| 发明（设计）人： | 史常忻;王庆康;李志奇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/108;H01L27/14 |
| 代理公司： | 上海交通大学专利事务所 | 代理人： | 匡宗德 |
| 地址： | 200030*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、P型掺杂In0.53Ga0.47As增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增强效果好，长波长(1.3～1.55微米)响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管(FEI)同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓砷 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1、一种铟镓砷光电探测器，它由半绝缘InP单晶衬底(1)、非掺杂的InP缓冲层(2)、n型In0.53Ga0.47As本征光吸收层(3)、增强层(4)以及金属电极5组成，本发明的特征在于所说的增强层(4)是位于所说的吸收层(3)和金属电极(5)之间的P型掺杂In0.53Ga0.47As层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
