[发明专利]可电擦去的，能直接重写的多位单一单元存储元件和用它制成的阵列无效
| 申请号： | 92111063.4 | 申请日： | 1992-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1075377A | 公开（公告）日： | 1993-08-18 |
| 发明（设计）人： | S·R·奥夫辛斯基;W·丘巴提;Q·伊;D·A·施特兰德;S·J·赫金斯;J·冈萨雷斯-埃尔南德斯;H·弗里切;S·A·科斯蒂列夫;B·S·赵 | 申请（专利权）人： | 能源变换设备有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种固态的、可直接重写的、电子的、非易失的、高密度的、低成本的高速的易制造的、多比特单一单元存储器，其特征是多稳的，非易失可检测局部原子和/或电子的有序结构，通过改变电输入信号的脉冲电压和持续时间，可以对该有序结构进行选择地和重复地存取。这里还公开了一类独特的微晶半导体材料，它可以在一种晶相中、被调制到不同费米能级位置的大动态范围内的任一个，同时，在整个范围保持实质不变的带隙，即使在调制电场移走后也是如此。 | ||
| 搜索关键词： | 擦去 直接 重写 单一 单元 存储 元件 制成 阵列 | ||
【主权项】：
1、一种电操作、可直接重写、多比特、单一单元存储元件，包括：确定单一单元存储元件的大容量存储材料，所述存储材料的特征是(1)电阻值大的动态范围、(2)对应于预选的电输入信号，将所述动态范围中一系列电阻中之一设定，以便提供具有多比特存储能力的所述单一单元；一对彼此隔开设置的接触区，用来施加所述电输入信号，将所述存储材料设定在所述动态范围内的预选的电阻值；不管所述材料的先前的阻值如何，所述单一单元存储材料，能通过预选电信号可设定在所述动态范围内任何阻值。
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