[发明专利]半导体存储器的行冗余电路无效

专利信息
申请号: 92112743.X 申请日: 1992-10-31
公开(公告)号: CN1032282C 公开(公告)日: 1996-07-10
发明(设计)人: 张贤淳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正,肖掬昌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种行冗余电路,用以修复半导体存储器存储单元阵列中有缺陷的存储单元,它包括地址选择器300,它接收两个或两个以上表示有缺陷的存储单元的地址二进制位,有选择地输出其中一个地址二进制位;熔丝盒100,用以存储除地址选择器输出的被选择的二进制位外的地址二进制位;和至少一个冗余解码器200、200A,用于对地址选择器和熔丝盒的输出信号解码,从而使冗余效率最高。
搜索关键词: 半导体 存储器 冗余 电路
【主权项】:
1.一种具有用以修复存储单元阵列中有缺陷的存储单元的行冗余电路的半导体存储器,其特征在于,该行冗余电路包括:一个地址选择器,用以接收两个或两个以上表示所述有缺陷的存储单元的地址二进制位对,并用以选择所述两个或两个以上地址二进制位中的一个地址二进制位;一个熔丝盒,用以接收地址二进制位对组,并用以存储除在所述地址选择器处被选择的二进制位对以外的其余地址二进制位的信息;和至少一个冗余解码器,用以对所述地址选择器和熔丝盒的输出信号进行解码,从而使行冗余效率为最高。
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