[发明专利]改善了耐蚀性的稀土元素/过渡金属系永久磁体及其制造方法无效
申请号: | 92112861.4 | 申请日: | 1992-11-26 |
公开(公告)号: | CN1057631C | 公开(公告)日: | 2000-10-18 |
发明(设计)人: | 多贺谷敦 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F1/055 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请公开了通过表面处理改善稀土元素/过渡金属系永久磁体的耐蚀性,该磁铁含有包括钇的一种或多种稀土元素,过渡金属主要是铁。在磁体表面涂覆一导电性底层,在其上电镀覆(以后称e-)一平均粒度不大于0.9μm的铜镀层。底层可任意为e-Ni层,无电铜镀层,采用氰化铜浴的e-Cu层,和另一种采用含磷酸酯为主要组分的碱性有机酸铜浴的e-Cu层。保护层在e-Cu层上形成,其可任意为e-Ni层,无电Ni-P镀层。e-Cu层采用焦磷酸铜浴形成。 | ||
搜索关键词: | 改善 耐蚀性 稀土元素 过渡 金属 永久 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善了耐蚀性的稀土元素/过渡金属永久磁体,其中在含有一种或多种包括钇的稀土元素和主要包括铁的过渡金属的稀土元素/过渡金属系永久磁体的表面上具有铜镀层,其特征在于,在该永久磁体的表面上涂覆有一导电性底层,在该底层上具有采用焦磷酸铜浴镀覆的平均结晶颗粒大小不大于0.9μm的铜电镀层。
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