[发明专利]高灵敏度的光电导膜及其制备方法无效
| 申请号： | 92114143.2 | 申请日： | 1992-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1087448A | 公开（公告）日： | 1994-06-01 |
| 发明（设计）人： | 顾培夫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/18;C23C14/00 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高灵敏度和快响应的光电导膜及其制备方法，特征是采用cds和cdse渐变混合膜。cds和cdse的重量比为3∶1，掺杂杂质Cl和Cu的克分子浓度比为3∶2。采用二源蒸发，基板温度为250～300℃，空气中老化温度为380～400℃。本发明的光电导膜具有暗电阻大，亮暗电导比高，响应速度快，白光灵敏度和分辨率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 电导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高灵敏度的光电导膜，其特征在于采用cds和cdse渐变混合膜，同时掺入双重杂质Cl和Cu。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/92114143.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全天然生发香波及其制法
- 下一篇：麻油渣提油新工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
