[发明专利]晶体管反偏二次击穿测试装置

摘要

本发明的装置对被测器件施加连续脉冲功率，当发生反偏二次击穿时，通过设置在基极电路中的反偏二次击穿检测器检测射频振荡，而后经单稳、R-S触发器进行反偏二次击穿指示、读数、终止测试一系列操作。与此同时，从被测器件的集电极设置一套独立的保护电路。该电路检测在集电极出现的任何负沿，并加以保护，由于负沿触发的高速度可以实现无损伤测试。又由于该高速保护电路所固有的微小延迟与SB检测器射频检测的脉冲形成电路的时间差，使保护与SB指示二者互不影响。

主权项

一种晶体管反偏二次击穿测试装置，该装置的被测晶体管的集电极C通过已知电感量的可调电感器与可调恒流源相连接，被测管的基极设有偏置电阻RBE和反偏电源VBE，被测管的发射极接地，连续的测试脉冲是通过脉冲发生器经门电路经驱动电路与集电极电流同步的方式送入基极的，该门电路受控于一个R-S触发器，在基极还设置有反偏二次击穿检测器，检测到表征反偏二次击穿时驱动单稳及R-S触发器、进行反偏二次击穿指示、终止测试操作，其特征在于，在被测晶体管的集电极设置有独立保护电路，该电路包括：负沿检测器，检测集电极出现的任何负沿；并输出一个脉冲；单稳触发器，接收来自负沿检测器的脉冲，输出一个驱动脉冲；保护管，在单稳输出的脉冲驱动下导通，使其集电极或漏极电位下降；导通管，该导通管连接在被测晶体管与保护管的集电极或漏极之间，当保护管导通后该管也导通，从而泄放被测晶体管中的能量。