[发明专利]难熔金属覆盖的低阻值金属导线和通路无效
申请号: | 93101334.8 | 申请日: | 1993-02-24 |
公开(公告)号: | CN1027610C | 公开(公告)日: | 1995-02-08 |
发明(设计)人: | 威廉·J·科特;佩-英·保罗·李;托马斯·E·桑德威克;伯恩·M·沃尔默;维克托·维诺日耶新;斯图尔特·H·沃尔夫 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/90 | 分类号: | H01L21/90;H01L23/522 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 姜华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用三步骤方法来制作电传导通路或导线。第一,把受控数量的低阻软金属12在一沟槽或孔中淀积到低于沟槽或孔所在的电介质10的顶表面的高度。随后,用诸如CVD钨的难熔金属16覆盖低阻软金属12。最后,用化学—机械抛光来平整该构造。难熔金属16保护低阻软金属12以使之免受划伤和腐蚀;而在低阻软金属受到强烈的化学—机械抛光悬浮液作用时,这种划伤和腐蚀通常是难免的。 | ||
搜索关键词: | 金属 覆盖 阻值 导线 通路 | ||
【主权项】:
1.用于在衬底上制作被覆盖的导线或通路的方法,其特征在于下列步骤:把一具有低阻值的软金属或金属合金淀积到衬底的沟槽或孔中,该淀积是在足以使所述软金属或金属合金分离成淀积在所述沟槽或孔中的第一部分和淀积在所述衬底的一个表面上的第二部分的温度下进行的,所述第一部分的位置低于所述衬底的所述表面;在所述软金属或金属合金之上淀积难熔金属;以及对所述衬底进行化学—机械抛光,以使形成在所述沟槽式孔中的导线或通路分别与所述衬底的所述表面持平,从而使所述难熔金属在抛光过程中保护所述软金属或金属合金免受划伤和腐蚀。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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