[发明专利]半导体材料的层间整平装置

摘要

一种用于整平半导体芯片表面的衬垫。该衬垫包括至少二层。一层衬垫的静压模量与另一层衬垫的静压模量是不相同的。

主权项

1、用于整平片材的装置，该材料包括宏观平坦底表面，至少有一对细微结构，该对细微结构各与所述底表面连接，各有与所述底表面隔开的外表面，各从所述底表面伸出一个基本相等的距离，并相互间隔距离小于500微米，在所述细微结构和所述底表面上复盖和延伸一涂层，所述涂层的构成工作面的外表面是宏观平坦的，所述装置包括(a)整平衬垫装置，该衬垫装置包括(i)一个基底，(ii)第一弹性材料层，它与所述基底连接，并有与所述基底相隔开的外表面，当所选的4磅/英寸2至20磅/英寸2范围内的某压强作用在所述第一层上时，该层的静压模量对于每磅/英寸2压强为小于250磅/英寸2，(iii)第二弹性材料层，它与至少一部分所述外表面连接，它有与所述外表面相隔开的整平表面，用以接触和研磨所述涂层，从而露出所述上表面，并当所述所选的压强作用在所述第二层上时，该层的静压模量大于所述第一层的静压模量，和(iv)在所述第二层的所述整平表面上有液体浆状的研磨料；(b)夹持装置，用以夹持所述片材，使其所述工作面面对并接触构成下列一对中的至少一个：(i)所述整平表面，和(ii)所述浆状研磨料；和(c)动力装置，用以使所述整平衬垫装置和所述夹持装置的至少其中一个相对于所述衬垫装置和所述夹持装置的另一个移动，使得所述衬垫装置和所述夹持装置的所述一个的移动导致所述研磨料和所述整平表面接触并研磨所述工作面；所述整平表面至少微观上整平所述工作面，以暴露所述细微结构的所述外表面，使得所述工作面和所述外表面总体来说达到微观平坦和共平面的，所述外表面每个终止于和贴近于所述工作面。