[发明专利]竖直腔面发射激光器光学互连工艺无效
申请号: | 93102380.7 | 申请日: | 1993-01-21 |
公开(公告)号: | CN1079076A | 公开(公告)日: | 1993-12-01 |
发明(设计)人: | G·P·奥尔布赖特;J·L·耶威尔 | 申请(专利权)人: | 班德加普技术公司 |
主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L23/00;H01L21/90;H01S3/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒,叶恺东 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种三维光学互连,具有叠层的竖直方向对准的一些光电子集成(OEIC)组件。每一块OEIC组件都包括竖直腔面发射激光器(VCSEL)阵列、接收器和电子逻辑线路,它们均集成在单块半导体基片上。各OEIC组件之间的信息传递,是靠从VCSEL到相邻OEIC组件上相应接收器的激光辐射的自由空间传播来实现的。晶体管,例如异质结型双极晶体管,可用于驱动VCSEL。 | ||
搜索关键词: | 竖直 发射 激光器 光学 互连 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种三维光电子互连,它包括:具有至少一个第一平面表面的第一块半导体基片;按第一种图案单片集成在上述第一表面上的第一阵列的竖直腔面发射激光器,其中每激光器用来产生所需波长的辐射,所述辐射垂直于上述第一平面发射;用来产生第一组带有信息的电信号的装置;对于每一激光器来说,响应于上述电信号而对上述辐射进行调制,以将上述信息光学叠加其上的装置;具有至少一个第二平面表面的第二块半导体基片,上述第一及第二平面表面为非共面的;按上述第一种图案单片集成在上述第二表面上的第二阵列的光接收器,用来接收来自相应激光器的辐射,然后将上述辐射转换成第二组电信号,以及用来处理上述第二组电信号装置,从而通过在上述激光器和光接收器之间对于上述辐射的发射和接收,在上述产生第一组电信号的装置和处理第二组电信号的装置之间建立光电子互连。
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