[发明专利]纯净磁场发生体无效
申请号: | 93102741.1 | 申请日: | 1993-03-18 |
公开(公告)号: | CN1092549A | 公开(公告)日: | 1994-09-21 |
发明(设计)人: | 宋维伦 | 申请(专利权)人: | 宋维伦 |
主分类号: | H01F7/06 | 分类号: | H01F7/06;H01B7/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 26143*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明为一种通电后可产生不含电场辐射的纯净磁场的发生体,是用抑制载流体电场同时保留载流体的磁场方法制成的,主要用于磁疗及其它需要纯净磁场的领域。 | ||
搜索关键词: | 纯净 磁场 发生 | ||
【主权项】:
1、纯净磁场发生体,由导体(1)外包绝缘层(2),绝缘层(2)外再包屏蔽层(3)构成,其特征在于:a.绝缘层(2)由顺磁性绝缘材料或抗磁性绝缘材料构成。b.屏蔽层(3)由电阻率大于等于1.72×10-8Ω·m小于等于1Ω·cm的顺磁性材料构成或由电阻率大于等于1.72×10-8Ω·m小于等于1Ω·cm的抗磁性材料构成。c.屏蔽层(3)的孔隙率大于等于0小于等于15%。d.屏蔽层(3)的厚度小于等于3mm大于等于10-9m。
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