[发明专利]碟形钼基钨靶的制造方法无效
| 申请号： | 93103859.6 | 申请日： | 1993-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1048117C | 公开（公告）日： | 2000-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李应泉;李亨荣;滕修仁;苏燏生;邓朝权;郑晓红 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J35/10 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业总公司专利事务所 | 代理人： | 赵克德 |
| 地址： | 72100*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的碟形钼基钨靶的制造方法，采用复合加料，一次压制成形，经氢气或真空烧结，一次锻打和机加工后就能得到蝶形钼基钨靶。克服了已有技术的缺点。本发明制得的碟形钼基钨靶的钨层厚度大于２ｍｍ，其晶粒组织细小均匀，密度>９６％理论密度，与钼基层结合牢固。 | ||
| 搜索关键词： | 碟形钼基钨靶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1，碟形钼基钨靶的制造方法，包括对碟形钼基钨靶复合锻坯进行金属加工，其特征在于：a在碟形模腔内，先装填钼粉230克-600克，然后将钼粉整理成碟形，再装入钨粉200克-400克，再将钨粉整理成与钼粉相同的碟形，在100MPa-200MPa压力下压制钨钼复合蝶形毛坯；b将压制成钨钼复合毛坯在氢气或真空1000℃-1200℃进行1.5小时的预烧结和高温2000℃-2300℃3-4小时烧结，得到碟形钼基钨层复合烧结坯；c再将碟形钼基钨层复合烧结坯在氢气氛中预加热到1300℃-1500℃0.5小时后，移入锻模内，开动锻锤，以1.0×104J-2.0×104J进行一道次压力锻造成碟形钼基钨靶复合锻坯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北有色金属研究院，未经西北有色金属研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/93103859.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有远距离传输模块的远程控制通信系统
- 下一篇：耐热的外包装薄膜
