[发明专利]绝缘栅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 93104560.6 | 申请日： | 1993-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1051882C | 公开（公告）日： | 2000-04-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜绝缘栅型场效应晶体管，具有一个表面经过阳极氧化的金属栅，一个氮化硅膜制作在栅电极与栅绝缘膜之间。为了阳极氧化，用金属材料覆盖栅电极的特定部分，然后仅将金属材料及其氧化物一起除去，形成一个金属栅的露出部分而与上面布线连接。另外，在栅电极和栅绝缘膜之间，或在基片和基片上的层之间，形成氧化铝或氮化硅层作为刻蚀的阻挡层，以防止过刻蚀，并改进元件的平整度。另外，在无“接触孔”的概念下形成接触。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅薄膜晶体管，包括：在基片的绝缘表面上形成的包括结晶硅的半导体层；在所说半导体层中形成的沟道区；在所说半导体层中形成的源和漏区，在这些区间有所说沟道区；在所说沟道区上形成的包括氧化硅的第一绝缘膜；在所说第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜；以及在所说沟道区上方形成的栅电极，其间插置有所说第一和第二绝缘膜，所说晶体管的特征在于，所说第二绝缘膜包括由氮化硅和氧化铝组成的组合中选出的一种材料。
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