[发明专利]圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法无效
申请号: | 93107505.X | 申请日: | 1993-06-26 |
公开(公告)号: | CN1082253A | 公开(公告)日: | 1994-02-16 |
发明(设计)人: | 陈鉴章 | 申请(专利权)人: | 陈鉴章 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/30 |
代理公司: | 三友专利事务所 | 代理人: | 杨佩璋 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法。本发明制法的操作程序为扩散晶片被覆光阻剂、曝光及显影、蚀刻沟槽、去除光阻剂、栅层清洗、玻璃浆栅层被覆、高温玻璃化、镀镍及烧结、衬片及圆铁片定位胶合、喷砂及分离圆晶粒即得到圆形玻璃钝化二极体晶粒。本发明方法无须经过多种多次化学药剂的浸泡,不伤晶体表面,得到电特性稳定、圆形无尖端的二极体晶粒。 | ||
搜索关键词: | 圆形 玻璃 钝化 二极体 晶粒 制法 | ||
【主权项】:
1、一种圆形板玻璃钝化二极体晶粒的制法,其特征在于具有下列步骤:a)在扩散晶片上被覆一层光阻剂后烘干;b)曝光及显影:在所说晶片的P面上罩设一层其表面设计有若干圆形透光圈的光罩,将该罩设有光罩的晶片送入曝光机感光并以显影剂显影;c)蚀刻沟槽:将显影后的晶片以酸液蚀刻,形成沟槽;d)去除光阻剂:将蚀刻完成的晶片浸入双氧水与硫酸混合液中,除去光阻剂;e)栅层清洗:将除去光阻剂的晶片在去离子水中清洗,除去其表面的混合液,使栅层显现,然后脱水、烘干;f)玻璃浆栅层被覆:以玻璃浆充分填实于蚀刻完成的圆形沟槽中;g)高温玻璃化:在石英管内,720℃下烧结约1小时,清洗;h)镀镍及烧结:在无电电镀液中镀镍后,在石英管内,650℃和通氮气氛下烧结,再镀镍一次;i)衬片及圆铁片定位胶合:将上端铺设有一层白蜡的玻璃衬片置于电热板上,使白蜡呈熔融状,将二次镀镍后的晶片放置在该铺设有白蜡的玻璃衬片上,并使白蜡涵盖晶片整面,再将预先粘设有若干小圆铁片的胶带正确地粘贴密合在晶片上,从电热板上取下该上端粘固有圆铁片及下端粘固有玻璃衬片的晶片,移至自然冷却的平板上冷却,将冷却后的晶片撕出胶带,送入喷砂机内喷砂;j)喷砂及分离圆晶粒:对晶片表面粘设有小圆铁片的一面进行喷砂,当喷砂完成后,在玻璃衬片上形成许多小圆形晶粒,将该玻璃衬片与许多小圆形晶粒浸泡在三氯乙烷中清洗,分离,并以磁铁将小圆铁片吸出,即得圆形玻璃钝化二极体晶粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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