[发明专利]制备含有抗菌金属的抗菌材料的方法无效
申请号: | 93107703.6 | 申请日: | 1993-05-18 |
公开(公告)号: | CN1066783C | 公开(公告)日: | 2001-06-06 |
发明(设计)人: | R·E·伯勒尔;L·R·莫里斯 | 申请(专利权)人: | 韦斯泰姆生物医药公司 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 汪洋 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种形成含有一种或多种抗菌金属的抗菌材料的方法,该方法的特征在于在含有一种或多种从Ag、Au、Pt、Pd、Ir、Sn、Cu、Zn和它们的合金以及它们的化合物中选出的抗菌金属结晶材料中,在限制用以保护其中原子无序的扩散的条件下造成原子无序。产生原子无序的优选条件包括比正常低的底基温度、比正常高的工作气压、镀料流比正常小的入射角。应用此抗菌材料在医疗器械表面形成镀膜,在此镀膜中所产生的原子无序,使其能持续地释放足以产生抗菌作用的金属离子。 | ||
搜索关键词: | 制备 含有 抗菌 金属 抗菌材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成含有一种或多种抗菌金属的抗菌材料的方法,该方法的特征在于:在含有一种或多种从Ag、Au、Pt、Pd、Ir、Sn、Cu、Zn和它们的合金以及它们的化合物申选出的抗菌金属的一种结晶材料中,在限制用以保持其中原子无序的扩散的方法条件下造成原子无序,其中在该材料中的原子无序提供了表面构型的不规则性和在结构中有毫微米级的不均匀性,并且在该材料中的原子无序是由高密度的在晶格内的一个或多个点缺陷,空位,线缺陷,位错,间隙原子,非晶区域以及晶粒界限和亚晶粒界限的缺陷引起的,相对于金属的正常有序结晶状态而言,该原子无序足以提供至少一种抗菌金属的原子、离子、分子或原子束,以相对于该材料的正常有序结晶状态而言的一种提高的速率,持续地释放到醇基或水基电解液中,而且其浓度足以提供定域的抗菌效果,其中所述的方法条件选自:Ⅰ.形成含有抗菌金属的抗菌材料,该形成作用是通过应用选自真空蒸镀、溅射镀膜、磁控溅射镀膜或离子镀膜的一种物理气相淀积作用,在以下所述的一种或多种淀积条件下,将该材料淀积到一种表面上;(ⅰ)将被镀膜的表面的温度与抗菌金属的熔点之比率保持在Kelvin度小于0.5;(ⅱ)将在被镀膜的表面上的镀膜流入射角保持在低于75°;以及(ⅲ)保持取决于气相淀积技术的如下环境或工作气压:(a)在应用电弧蒸镀时为大于0.001Pa;(b)在应用气体散射蒸镀时为大于2.6Pa;(c)在应用溅射镀膜时为大于10Pa;(d)在应用磁控溅射镀膜时为大于1.3Pa;或者(e)在应用离子镀膜时为大于27Pa;或者Ⅱ.应用气相淀积作用通过同时地、相继地或活性反应地将在一种结晶底基中的抗菌金属淀积到与该抗菌金属不同的一种材料的原子或分子上,而形成含有一种或多种抗菌金属的复合材料的抗菌材料,该不同材料的原子或分子造成在该底基中的原子无序;该不同的材料选自生物相容的金属、氧、氮、氢、硼、硫、卤素和一种或两种抗菌金属或一种生物相容的金属的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物和卤化物,该生物相容金属选自Ta、Ti、Nb、B、Hf、Zn、Mo、Si和Al或一种或多种这些金属的合金或化合物;或者Ⅲ.在温度低于该材料的再结晶温度时对含有一种或多种抗菌金属的抗菌材料进行冷操作以保持该原子无序,其中该材料是呈粉末形式或薄片形式的。
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