[发明专利]采用过渡改性结构非晶硅光敏层的液晶光阀

摘要

及其在液晶光阀中的使用。所述的液晶光阀没有阻光层，写入光信号的接收及干扰光的吸收全部由所述光敏层完成。所述光敏层是一种在膜层厚度方向上改性的以a-SiH为本体结构的半导体材料。该光敏层中可出现类p-n或p-i结效应，光、暗电容变化明显，因而所述的液晶光阀在无法改善材料的其它性能参数时，由光敏层材料载流子扩散控制的分辨率限仍可得到相应的提高。

主权项

1.一种反射型液晶光阀，主要由基板[1]和[10]、透明导电层[2]和[9]、液晶电-光调制层[7]、介质反射层[5]、液晶定向层[6]和[8]以及光敏层迭合而成，其特征是光敏层[3a]-[3b]采用在薄膜厚度方向上具有过渡改性结构的a-Si：H半导体材料，其用于写入光一侧是本征或掺微量磷的a-Si：H半导体薄膜，光学能隙保持在1.75ev，光/暗电阻比为10-2～10-3；另一侧是本征或掺微量硼的改性a-Si：H薄膜，其中掺杂原子比B/Si在0～4.0×10-5范围内变化，膜层电阻率为2.5×106Ωcm及1010Ω/□，光学能隙小于1.6ev，可见光吸收系数为105cm-1，光/暗电阻比为0.4～0.9，膜层结构非晶硅本体中晶体占约20％，其尺寸在150～60A范围内。