[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 93108414.8 | 申请日： | 1993-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1052576C | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有薄膜状有源层的一个场效应型器件中提供了一个薄膜状半导体器件，该器件包括在该有源层上的一个顶部侧栅极和连接到一稳定电位的一个底部侧栅极，底部侧栅极被提供在有源层和一基片之间。底部侧栅极可以电连接到场效应型器件的源极和漏极中的唯一一个极。本申请也公开了其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括：在一个基片上提供的一个半导体层；在所述半导体层上形成的源极和漏极；在所述源极和所述漏极之间的所述半导体层形成的沟道区；在所述沟道区上提供的一个栅电极；设置在所述栅电极和所述沟道之间的栅绝缘层；位于所述沟道区下面的一个后电极；和置于所述沟道区和所述后电极之间的绝缘膜，其中所述后电极和所述源极电连接。
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