[发明专利]声学超晶格材料的制备和超高频声学器件无效
| 申请号： | 93109510.7 | 申请日： | 1993-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1098823A | 公开（公告）日： | 1995-02-15 |
| 发明（设计）人： | 闵乃本;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L41/16 | 分类号： | H01L41/16;H01L41/187;H01L41/22;C04B35/00 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 21000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属新材料和新技术领域，在衬底材料上生长压电材料，选择压电材料(包括LiNbO3、LiTaO3、PbTiO3、BaTiO3、Li3BO7、SiO2、ZnO、PZT、TeO2、Bi12GeO20、Bi3TiO4等)和非压电介电材料(包括MgO、TiO2、SrTiO3、Al2O3等)，利用MOCVD方法生长出两两组合的声学超晶格材料，亦可以压电材料中任意两种材料生长，其周期宽度0.1～3μm，周期数10～100。 | ||
| 搜索关键词： | 声学 晶格 材料 制备 超高频 器件 | ||
【主权项】：
1、一种声学超晶格材料，其特征是在衬底材料上生长压电材料，选择压电材料(包括LiNbO3，LiTaO3，PbTiO3，Li3BO7，SiO2，ZnO，PZT，TeO2，Bi12GeO20，Bi3TiO4等)，和非压电介电材料(包括MgO，TiO2，SrTiO3，Al2O3等)，利用MOCVD生长方法生长出两两组合的声学超晶格材料，亦可以压电材料中任意两种材料生长，其周期宽度0.1～3μm，周期数10～100，上两类材料均可作为衬底材料。
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