[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 93109735.5 | 申请日： | 1993-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1083959A | 公开（公告）日： | 1994-03-16 |
| 发明（设计）人： | 比得·G·斯科夫;华庆童 | 申请（专利权）人： | 里德-莱特公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陈永红 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜磁头由透磁合金的第一和第二磁层形成以构成一带转换间隙的磁轭，并包括一沉积在第二磁层之下的一基层。基层由Fe-N-Al或Fe-N制成。基层可夹在由氧化硅或氧化铝构成的氧化层之间。基层具有高磁性饱和和高磁导率的特性。薄膜磁头可提供一高的写入场而不改变磁头尺寸；或者提供一小的间隙长度而不减小写入场的有效性。通过使用基层的薄膜磁头可增加线性记录密度和提高读取信号的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜磁头，包括：一陶瓷基体；一沉积在所述基体上的由磁性材料构成的第一基层；一沉积在所述第一基层上的第一磁极层；一沉积在所述第一磁极层上的电绕组；一围绕所述绕组沉积的绝缘材料；一由磁性成分形成的第二基层，该磁性成分与沉积在所述绝缘材料上的第一基层的所述磁性材料不同；沉积在所述第二基层上的第二磁极层，所述第一和第二磁极层形成一具有非磁性转换间隙的磁轭。
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